IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB65R190CFDAATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $5.49 |
10+ | $4.928 |
100+ | $4.0379 |
500+ | $3.4374 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 151W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17.5A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB65R190 |
IPB65R190CFDAATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB65R190CFDAATMA1 PDF - EN.pdf |
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2024/04/19
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2024/06/3
IPB65R190CFDAATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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